11 сентября Южнокорейская компания SK Hynix объявила, что успешно разработала высокопроизводительный твердотельный накопитель PEB110 E1.S для центров обработки данных. Новое поколение SSD основано на NAND-флэш-памяти 238 уровней, получившей сертификацию максимальной производительности, и использует технологию PCIe пятого поколения, обеспечивающую удвоенную пропускную способность по сравнению с существующим четвертым поколением (Gen4) и достигающую скорость передачи данных до 32 ГТ/с.
Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
SK Hynix выпустила центры обработки данных на базе твердотельных накопителей PCIe 5.0
11 сентября Южнокорейская компания SK Hynix объявила, что успешно разработала высокопроизводительный твердотельный накопитель PEB110 E1.S для центров обработки данных. Новое поколение SSD основано на NAND-флэш-памяти 238 уровней, получившей сертификацию максимальной производительности, и использует технологию PCIe пятого поколения, обеспечивающую удвоенную пропускную способность по сравнению с существующим четвертым поколением (Gen4) и достигающую скорость передачи данных до 32 ГТ/с.