SK海力士在下一代存储技术上达成重要里程碑

SK海力士宣布成功开发其前沿内存产品HBM4，旨在满足高性能AI应用的需求。这家韩国科技巨头还建立了大规模生产系统，以满足客户对这些先进高带宽内存芯片的需求。

根据该公司的说法，这种新的半导体技术垂直整合了多个DRAM芯片，相较于传统的DRAM产品，显著提升了数据处理能力。SK海力士相信，HBM4芯片的大规模生产将在推动人工智能产业发展方面发挥关键作用。

SK海力士准备大规模生产HBM4

HBM4的发展是为了应对人工智能需求和数据处理要求的指数增长，这需要高带宽内存来提高系统性能。SK海力士认识到，随着数据中心的功耗持续上升，确保内存的电源效率已成为客户的关键关注点。

这家半导体制造商预计，HBM4的增强带宽和功率效率将为满足客户需求提供最佳解决方案。这种下一代内存的生产过程涉及垂直堆叠芯片，这种技术不仅节省空间，还减少了功耗，使其非常适合处理复杂AI应用产生的大量数据。

SK海力士的一位高管评论了这一成就的重要性：“HBM4的成功开发标志着行业的一个重要里程碑。通过及时交付满足客户在性能、功率效率和可靠性方面要求的产品，我们旨在满足市场需求并保持我们的竞争优势。”

SK海力士报告称，其新产品在数据处理速度和功率效率方面具有行业领先水平。该公司声称，由于采用了2048个I/O端口，芯片的带宽相比其前身翻了一番。此外，功率效率 reportedly 提升了超过40%。

这家韩国公司声称，实施HBM4可以将AI服务性能提高多达69%。这一举措旨在解决数据瓶颈并降低数据中心的电力成本。

技术进步和行业标准

SK 海力士已透露，HBM4 超越了联合电子设备工程委员会的 (JEDEC) 标准工作速度 8Gbps，达到了超过 10Gbps 的速度。JEDEC 是一个全球标准化组织，致力于为微电子行业开发开放标准。

该公司还在HBM4生产中采用了一种先进的制造工艺，称为MR-MUF (大规模重流模塑填充)。这项技术涉及堆叠芯片并在其之间注入液态保护材料，以保护芯片间电路。

根据SK海力士的说法，这一过程在可靠性和散热效率方面优于传统的对每个芯片堆应用薄膜材料的方法。该公司相信，其先进的MR-MUF技术通过提供有效的翘曲控制和减少堆叠芯片的压力，从而有助于稳定的大规模生产。

该公司在HBM4生产中采用了其1bnm工艺，这是第五代10纳米技术。SK海力士表示，这种方法有助于降低市场生产中的风险。一位公司高管表达了SK海力士的雄心，即通过提供高质量的内存产品以及针对AI行业需求量身定制的多样化性能能力，发展成为一个全面的AI内存解决方案提供商。

市场反应与未来展望

在HBM4公告发布后，SK海力士的股价创下历史新高，涨幅高达6.60%，达到327,500韩元。该公司的股票显示出显著增长，过去五天上涨了约17.5%，过去一个月几乎上涨了22%。

一位行业分析师预测，SK海力士在HBM领域的市场份额将保持强劲，预计到2026年将处于60%低位范围内。该预测基于公司对关键客户的早期HBM4供应以及由此带来的先发优势。

SK海力士目前在向主要科技公司供应HBM半导体芯片方面处于领先地位。SK海力士的一位高级执行官预计，AI内存芯片市场将经历显著增长，预计到2030年每年将增长30%。

高管强调了最终用户对人工智能技术的强烈需求，并预计云计算公司的人工智能资本支出在未来几年可能会向上修订。