SK海力士在下一代存儲技術上達成重要裏程碑

SK海力士宣布成功開發其前沿內存產品HBM4，旨在滿足高性能AI應用的需求。這家韓國科技巨頭還建立了大規模生產系統，以滿足客戶對這些先進高帶寬內存芯片的需求。

根據該公司的說法，這種新的半導體技術垂直整合了多個DRAM芯片，相較於傳統的DRAM產品，顯著提升了數據處理能力。SK海力士相信，HBM4芯片的大規模生產將在推動人工智能產業發展方面發揮關鍵作用。

SK海力士準備大規模生產HBM4

HBM4的發展是爲了應對人工智能需求和數據處理要求的指數增長，這需要高帶寬內存來提高系統性能。SK海力士認識到，隨着數據中心的功耗持續上升，確保內存的電源效率已成爲客戶的關鍵關注點。

這家半導體制造商預計，HBM4的增強帶寬和功率效率將爲滿足客戶需求提供最佳解決方案。這種下一代內存的生產過程涉及垂直堆疊芯片，這種技術不僅節省空間，還減少了功耗，使其非常適合處理復雜AI應用產生的大量數據。

SK海力士的一位高管評論了這一成就的重要性：“HBM4的成功開發標志着行業的一個重要裏程碑。通過及時交付滿足客戶在性能、功率效率和可靠性方面要求的產品，我們旨在滿足市場需求並保持我們的競爭優勢。”

SK海力士報告稱，其新產品在數據處理速度和功率效率方面具有行業領先水平。該公司聲稱，由於採用了2048個I/O端口，芯片的帶寬相比其前身翻了一番。此外，功率效率 reportedly 提升了超過40%。

這家韓國公司聲稱，實施HBM4可以將AI服務性能提高多達69%。這一舉措旨在解決數據瓶頸並降低數據中心的電力成本。

技術進步和行業標準

SK 海力士已透露，HBM4 超越了聯合電子設備工程委員會的 (JEDEC) 標準工作速度 8Gbps，達到了超過 10Gbps 的速度。JEDEC 是一個全球標準化組織，致力於爲微電子行業開發開放標準。

該公司還在HBM4生產中採用了一種先進的制造工藝，稱爲MR-MUF (大規模重流模塑填充)。這項技術涉及堆疊芯片並在其之間注入液態保護材料，以保護芯片間電路。

根據SK海力士的說法，這一過程在可靠性和散熱效率方面優於傳統的對每個芯片堆應用薄膜材料的方法。該公司相信，其先進的MR-MUF技術通過提供有效的翹曲控制和減少堆疊芯片的壓力，從而有助於穩定的大規模生產。

該公司在HBM4生產中採用了其1bnm工藝，這是第五代10納米技術。SK海力士表示，這種方法有助於降低市場生產中的風險。一位公司高管表達了SK海力士的雄心，即通過提供高質量的內存產品以及針對AI行業需求量身定制的多樣化性能能力，發展成爲一個全面的AI內存解決方案提供商。

市場反應與未來展望

在HBM4公告發布後，SK海力士的股價創下歷史新高，漲幅高達6.60%，達到327,500韓元。該公司的股票顯示出顯著增長，過去五天上漲了約17.5%，過去一個月幾乎上漲了22%。

一位行業分析師預測，SK海力士在HBM領域的市場份額將保持強勁，預計到2026年將處於60%低位範圍內。該預測基於公司對關鍵客戶的早期HBM4供應以及由此帶來的先發優勢。

SK海力士目前在向主要科技公司供應HBM半導體芯片方面處於領先地位。SK海力士的一位高級執行官預計，AI內存芯片市場將經歷顯著增長，預計到2030年每年將增長30%。

高管強調了最終用戶對人工智能技術的強烈需求，並預計雲計算公司的人工智能資本支出在未來幾年可能會向上修訂。